Se dedica al crecimiento de semiconductores de la familia III-V y a su aplicación en el desarrollo de dispositivos emisores y detectores de radiación infrarroja y para la conversión termofotovoltaica.
El interés central es el crecimiento epitaxial de GaSb y sus aleaciones con otros semiconductores III-V mediante las técnicas de Epitaxia en Fase Líquida y por Haces Moleculares.
En estas actividades participan activamente de Licenciatura y Posgrado elaborando tesis.
Los resultados científicos se publican en revistas internacionales.
También se realizan actividades de elaboración científica mediante libros y artículos en revistas.
Laboratorios
Caracterización de dispositivos
Crecimiento de cristales
Epitaxia en fase líquida I
Epitaxia en fase líquida II
MBE-GaSb
Estudiantes
Evento o noticias
Correo
Directorio
.png)
.png)